Je hebt een klacht over de onderstaande posting:
Erik haalt het al kort aan in zijn post van 28-12, 21:04 uur: Het is een natuurkundig feit dat elke halfgeleider onder spanning, naar de aard van zijn chemische samenstelling, stroom lekt. Ik heb dit met opzet onderstreept omdat hier niet over gediscussieerd hoeft te worden. Dat stel ik niet zo maar de fysische wetenschap die daarover consensus heeft. Dit stelt ons dus voor het feit dat Flash geheugen, dat voor digitale opslag gebruikt maakt van deze halfgeleiders, niet 100% betrouwbaar is en het nooit zal worden. Zoals TS in de 5e alinea van zijn bijdrage schrijft m.b.t. "high endurance" (of kortweg -Endurance-) flashgeheugen probeert de industrie dit opslagmedium te verbeteren. Dat blijkt ook wel want de algemene opinie is dat de betrouwbaarheid is toegenomen. m.b.t. veelvuldige herschrijfbaarheid van de korte termijn geheugenopslag. M.b.t. de lange termijn geheugenopslag heb ik er geen vertrouwen in gezien de wetmatigheid: de lekstroom van halfgeleiders. Mijn idee over de bruikbaarheid van ...
Beschrijf je klacht (Optioneel):