Je hebt een klacht over de onderstaande posting:
Door Philias: Erik haalt het al kort aan in zijn post van 28-12, 21:04 uur: Het is een natuurkundig feit dat elke halfgeleider onder spanning, naar de aard van zijn chemische samenstelling, stroom lekt. Ik heb dit met opzet onderstreept omdat hier niet over gediscussieerd hoeft te worden. Dat stel ik niet zo maar de fysische wetenschap die daarover consensus heeft. Dit stelt ons dus voor het feit dat Flash geheugen, dat voor digitale opslag gebruikt maakt van deze halfgeleiders, niet 100% betrouwbaar is en het nooit zal worden. je vergeet daarbij te melden dat het opslagprincipe van een flash geheugen niet gebaseerd is op halfgeleidertechnieken, alleen het uitleesprincipe is dat. Een MOS transistor heeft een geisoleerde gate die door oxide gescheiden is van de rest van de transistor, niet door een halfgeleiderjunctie. Het gedrag van halfgeleiders onder tempereatuur en vervuilings conditities heeft dan ook niet direct te maken met de retentietijd van de flash geheugens.
Beschrijf je klacht (Optioneel):